空*为什么带正电
1、半导体要掺杂，完了就改变了原结构，纯的半导体原料中的电子跑到杂质中去了，但是是不稳定的，好像三个人的座位，一个人跑到别处坐去了，就有一个空位。是外层的自由电子跑了。
2、你自己已经说了质子比电子多，质子带正电，电子带负电，本来两者电荷量相等互相抵消不带电，现在电子少了，质子的正电不能完全抵消，所以带正电。
3、形成的原因不同：在外电场中，P型半导体中的电子会逆电场方向依次填补空*，同时空*也就沿电场方向移动。空*就可以被认为是带正电的粒子，以它的运动取代电子的运行来解释P型半导体中电流的形成。电子导电由于自由电子的定向移动而导电的现象。
4、空*带正电，电子带负电，正负电荷相互吸引，所以电子一定要向空*运动。
为什么会有霍尔元件的导电物质是正电荷或负电荷的说法?半导体里自由...
1、【霍尔效应的微观机理】与产生磁阻效应的微观机理相同，均为半导体中的自由电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用所致。
2、对于正负电荷，在电流方向相同，也就是粒子运动方向相反的情况下，洛仑兹力的方向是相同的。因此正负电荷的霍尔电压是相反的。假定价带顶在k=0处，靠近价带顶的电子的晶体动量和速度是相反的。这意味着在价带顶处的电子受到的洛仑兹力的方向和导带底是相反的。
3、P型半导体是在半导体中添加三价元素，因此硅**外层缺少一个电子形成稳定结构，就形成空*。N型体是在半导体中添加五价元素，因此硅**外层多一个电子形成稳定结构。当PN结外加正电压时，外电压与内电场方向相反，是多子（电子）的扩散运动大于少子（正电荷）的漂移运动，故外电路形成由P-N的电流。
4、最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空*。所以它可以应用于半导体上面。
5、首先，磁场是外界给的，霍尔元件本身就是用来测量磁场的。在这道题里磁场由线圈产生，线圈通电后由安培右手螺旋易知磁场方向 其次题干里说载流子是正电荷，霍尔元件中通过的电流方向想下，有洛伦兹左手定则可知正电荷向后面运动，则后面的电势高于正面。（再次纠正楼主问错了，不是电子，而是正电荷。
狄拉克方程的空*理论
针对这个矛盾，1930年狄拉克提出一个理论，被称为空*理论。这个理论认为由于电子是费米子，满足泡利不相容原理，每一个状态最多只能容纳一个电子，物理上的真空状态实际上是所有负能态都已填满电子，同时正能态中没有电子的状态。
年，物理学家狄拉克提出了一个创新理论，即空*理论，以解决当时的矛盾。他指出，电子作为费米子，遵循泡利不相容原理，每个能量状态只能容纳一个电子。在狄拉克看来，物理真空并非真正的空无一物，而是所有负能状态都满载了电子，而正能状态则没有电子占据。
、狄拉克空*理论可以帮助理解电子对的湮灭...、狄拉克空*理论是由泡利不相容原理推导出来的。泡利不相容原理即为一个态只能存在一个粒子，电子就是一个经典的满足不相容原理的费米子，所以物理上的真空状态实际上是所有负能态都已填满电子。
狄拉克当时的解释是负能量电子海。他认为具有负能量、负动量的电子存在的海一样的能级世界，由于泡利不相容原理，从负无穷能量排列知道负能量的基态，然后再到现实中的基态，激发态。在负能量与正能量之间没有办法发生跃迁，中间的跃迁是禁戒的，因为负电子将基态能量以下的态全部占据，所以电子不能跃迁。
反物质最早是英国物理学家保罗狄拉克根据电子的相对论性方程狄拉克方程预言的一种反粒子。由于在狄拉克方程中存在负能解，为了解决这个问题，狄拉克提出了狄拉克海和空*理论。
当有电子从负能级上被激发出来，留下的空*表现为一个质量与电子相同、电荷与电子相反的粒子，这就是对第一种反粒子——正电子的预言。迪拉克之海也是对正电子存在的描述。
狄拉克的空*理论如何解释电子和正电子的产生?
针对这个矛盾，1930年狄拉克提出一个理论，被称为空*理论。这个理论认为由于电子是费米子，满足泡利不相容原理，每一个状态最多只能容纳一个电子，物理上的真空状态实际上是所有负能态都已填满电子，同时正能态中没有电子的状态。
狄拉克的空*理论给出了反粒子的概念，正电子是电子的反粒子。
由此出发，于1930年提出“空*”理论，预言了带正电的电子（即正电子）的存在。
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