中国移动通信手机卡背后的那一串数字是什么？

今天冷知识百科网小编 石劲荷 给各位分享什么是标准芯片卡片编码的知识，其中也会对中国移动通信手机卡背后的那一串数字是什么？相关问题进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在我们开始吧！

中国移动通信手机卡背后的那一串数字是什么？

中国移动通信手机卡（芯片）背后的那一串数字是ICCID码，也可以说是该芯片的唯一识别码，相当该卡的“***”，一个芯片对应一个ICCID码，不可能重复。ICCID所在位置如下图：

ICCID为SIM、USIM等芯片卡的唯一识别号码，共有20位数字组成，其编码格式为：XXXXXX 0MFSS YYGXX XXXX。分别介绍如下： 前六位运营商代码：中国移动的为：898600；898602 ，中国联通的为：898601、898609，中国电信898603，898606。

由于ICCID的唯一性，此序列码可以作为芯片查询的凭证，即可以通过ICCID查询到该芯片所对应的号码，也可以通过号码来确定ICCID码，若忘记其中一项，都可通过另外一项查询。目前所有正规芯片均默认在芯片上印上ICCID码，所以建议芯片不使用时，尽量回收或者彻底销毁，以免因为丢失芯片被盗用而造成损失。图示：泄露ICCID等于泄露个人资料！

ICCID的重要性：ICCID不仅可以作为设备识别，还可以作为定位的基点（坐标），前提是配合设备使用，如iPhone里的“寻找我的iPhone”，因为手机之后进行刷机激活，会将手机卡的iccid上传到服务器，通过某种渠道（如**部门）可以查询到刷机时间和iccid，通过运营商解析号码从而了解到手机的去向。如下图：

PUK是手机解锁码,解锁PIN的唯一密码，PUK码默认是在手机使用证上。一旦PIN输入错误3次被锁定，就需要PUK来解除；若PUK输错10次，则芯片自动销毁。如果买卡时保留了使用证（类似说明书），则芯片使用证上就有，部分号码的PUK是直接写在卡体上的（也就是拆下芯片的卡体，大小和***差不多）。一旦丢失，则需要通过运营商官方查询，若网上营业厅或者营业厅查询。

温馨提示：

1、PUK和ICCID都属于重要信息，不要轻易告之他人，做好保密工作；2、PUK和ICCID都属于不可更改的密码，所以一旦芯片丢失，请尽快去补卡，补卡后ICCID和PUK都会重新分配；3、芯片损坏后，彻底销毁（如剪碎、焚烧、使用物理手段淡化芯片信息）是必须的。

什么叫ic卡

IC的封装的规则怎么辩识？

1、BGA(ball grid array)
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有
可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封装，是*芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的*芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
9、DFP(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dual in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
17、flip-chip
倒焊芯片。*芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比**铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用**铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体*芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(**铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(**铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PG A。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
40、piggy back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品，市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat high package)
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形 。 是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时， 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字 逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
55、SDIP (shrink dual in-line package)
收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
57、SIL(single in-line)
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memory module)
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
60、SK－DIP(skinny dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
61、SL－DIP(slim dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM )。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8 ～44。
另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。

带有芯片的是ic卡吗

带有芯片的卡不一定就是IC卡
ID卡,IC卡都是带有芯片的，但是ID卡不能加密，而IC可以加密

请问什么卡叫做lc卡？？

装有芯片的卡片，例如，公交卡，手机卡、第二代***等等。

IC卡 (集成电路卡)，也称智能卡、智慧卡、微电路卡或微芯片卡等。它将微电子芯片嵌入符合ISO 7816标准的卡座中，形成一张卡。IC卡与读卡器之间的通讯可以是接触式的，也可以是非接触式的。根据通信接口，IC卡分为接触式IC卡、非接触式IC卡和双接口卡。

由于IC卡具有信息安全性、可移植性和完善的标准化等固有优势，在身份认证、银行、电信、公共交通、停车管理等领域得到越来越多的应用。例如，第二代***、银行电子钱包、电信移动SIM卡、公交卡、地铁卡、停车收费卡等，在人们的日常生活中发挥着重要作用。

扩展资料：

IC卡的特点：

1、可靠性高

IC卡具有抗磁性、抗静电、抗机械损伤和抗化学损伤能力，信息可存储100年以上，读写10万次以上，至少10年。

2、安全性好

相比传统的识别卡，IC卡的安全性更好。

3、存储容量大

磁卡的存储容量大约在200个字符；IC卡的存储容量根据型号不同，小的几百个字符，大的上百万个字符。

4、种类多

在全球范围内，IC卡不再局限于早期的通信领域，而是广泛应用于金融、社会保险、交通、旅游、卫生、**管理、商品零售、休闲娱乐、学校管理等领域。

参考资料来源：百度百科—IC卡

参考资料来源：百度百科—智能卡

中行长城美国运通国际芯片卡是什么？

中行长城美国运通国际芯片卡：为加强与美国运通合作，满足跨境客户支付需求，我行与美国运通合作推出长城美国运通国际芯片卡白金卡及金卡产品，长城美国运通国际芯片卡是符合EMV标准的芯片磁条复合卡。承袭了长城环球通的基本功能与服务，包括存款有息、透支消费可享免息期、循环信用、可选凭密码消费、挂失即时生效、欺诈侦测提醒、预借现金、自动还款、灵活计划还款、分期付款、网上银行等功能。长城美国运通国际芯片卡为我行长城系列***。该卡片共2款产品，分别为：长城美国运通国际芯片卡白金卡、长城美国运通国际芯片卡金卡，此卡按等级可分为白金卡、金卡。长城美国运通国际芯片卡仅限中国境外及中国港澳台地区美国运通国际组织网络使用，不支持银联网络商户进行交易。境内存取现、转账不受影响。

如有疑问，欢迎咨询中国银行在线客服或下载使用中国银行手机银行APP咨询、办理相关业务。

以上内容供您参考，业务规定请以实际为准。

关于集成电路编码

HY57V64820HG 0120TA T-H 是现代内存
现代 SDRAM 内存芯片的新编号
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HY │X X │X │X X │X X │X │X │X X │X │X │X │- │X X │X
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A │ B │C │D │E │F │G │H │I │J │K │ │L │M
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A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/
D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。
L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩大温度。

内部结构SDRAM结构和命令
SDRAM是一种具有同步接口的高速动态随机存储器，本文选用的是Samsung公司512K×16Bit×2组的KM416S1120D。SDRAM的同步接口和内部流水线结构允许存储外部高速数据，其内部结构框图如图1所示。

SDRAM的所有输入和输出都与系统时钟CLK上升沿同步，并且由输入信号RAS、CAS、WE组合产生SDRAM控制命令，其基本的控制命令如表1所示。

在具体操作SDRAM时，首先必须通过MRS命令设置模式寄存器，以便确定SDRAM的列地址延迟、突发类型、突发长度等工作模式；再通过ACT命令激活对应地址的组，同时输入行地址；然后通过RD或WR命令输入列地址，将相应数据读出或写入对应的地址；操作完成后用PCH命令或BT命令中止读或写操作。在没有操作的时候，每32ms必须用ARF命令刷新数据(2048行)，防止数据丢失。



2 FLEX10K系列EPLD特点

FLEX10K系列EPLD是工业界第一个嵌入式的可编程逻辑器件，主要由嵌入式阵列块(EAB)、逻辑阵列块(LAB)、快速布线通道(FastTrack)和I/O单元组成，具有如下特点：
(1)片上集成了实现宏函数的嵌入式阵列和实现普通函数的逻辑阵列；
(2)具有10000～250000个可用门；
(3)支持多电压I/O接口，遵守PCI总线规定，内带JTAG边界扫描测试电路；
(4)可快速预测连线延时的快速通道连续式布线结构；
(5)多达6个全局时钟信号和4个全局清除信号；
(6)增强功能的I/O引脚，每个引脚都有一个**的三态输出使能控制，都有漏极开路选择。



3 TMS320C5402和SDRAM接口设计

TMS320C5402和SDRAM接口电路方框图如图2所示。

命令接口主要对DSP送来的SDRAM的地址和操作命令进行**(命令编码见表1)；刷新控制主要对SDRAM数据刷新进行计时，确保32ms刷新2048行数据；仲裁电路主要对读写命令和刷新命令进行仲裁，杜绝同时操作，防止数据丢失；命令产生器主要用来产生控制SDRAM的各种时序，完成SDRAM的读、写和刷新，同时控制FIFO的读、写操作；FIFO是DSP与SDRAM之间的数据通道，深度为256，其作用是充分利用SDRAM的突发读写功能，提高系统速度，同时简化DSP软件设计。

3.1 命令接口和刷新控制电路设计
命令接口电路主要由命令寄存器、命令***、SDRAM行列地址锁存器、模式寄存器组成。其中命令寄存器映射为DSP的I/O空间0001H，SDRAM行和列地址锁存器分别映射为DSP的I/O空间0002H和0003H，模式寄存器映射为DSP的I/O空间0004H，具体控制命令和I/O地址分配如表2、表3所示。


DSP每次进行读、写操作时，首先向其I/O空间0002H和0003H写入SDRAM行和列地址，然后向I/O空间0001H写入控制命令，命令***根据命令寄存器中命令，译码后向仲裁电路发出读写请求。

刷新控制电路主要由1562计数器构成。由于TMS320C5402时钟频率为100MHz，SDRAM要求在32ms之内刷新2048行数据，因此该计数器计数值应小于：
32ms/2048/0.01μs＝1562.5。当计数器计满1562次时，刷新控制电路向仲裁电路发出刷新要求。

3.2 仲裁电路和命令产生器设计
仲裁电路接收命令接口模块**的命令和刷新控制模块的刷新请求，产生适当的控制命令，其中刷新请求的优先级较高。当来自DSP的命令和来自刷新控制模块的刷新请求同时到达时，则首先执行刷新操作，然后执行来自DSP的命令。这样可以防止SDRAM的数据丢失。由此可知，仲裁电路实质上是一个优先级选择器。

命令产生器主要产生SDRAM读、写和刷新的控制时序(具体时序可见参考文献1)以及FIFO的读写控制信号，用以对SDRAM进行各种操作，其实质上是一个Mealy型状态机，利用VHDL语言可以很方便地实现，其状态转移图如图3所示。

3.3 FIFO设计
FIFO电路是DSP与SDRAM进行数据交换的通道，通过FIFO电路可以很好地实现DSP对SDRAM的读写。FIFO电路被映射为DSP的I/O空间0000H(见表2)，DSP对SDRAM的每次读或写，都对DSP的I/O空间0000H操作，简化了DSP软件设计。利用FLEX10K系列EPLD内部嵌入式阵列块(EAB)和参数化模块库(LPM)，可以很快地构造出256×16的FIFO电路，FIFO的设计比较简单。VHDL描述具体如下(注意在程序开始处添加LPM库)：
FIFO256 CSFIFO
GENERIC MAP LPM_WIDTH ＜＝ 16；LPM_NUM－
WORDS ＜＝ 256　；

PORT MAP data ＜＝ �LPM_WIDTH-1 DOWNTO 0　；
wreq ＜＝ wr；rreq ＜＝ rd；
clock ＜＝ clk50；clockx2 ＜＝ clk100；
clr ＜＝ clr；sclr ＜＝ sclr；
empty ＜＝ empty；full ＜＝ full；
q＜＝q�LPM_WIDTH-1 DOWNTO 0　　；