今天冷知识百科网小编 黄新竹 给各位分享半导体二极管的导通电压是多少的知识，其中也会对半导体二极管(硅管)的导通电压是多少？相关问题进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在我们开始吧！
半导体二极管(硅管)的导通电压是多少？
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~1.2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。
硅二极管的导通电压是多少？
半导体材料分为硅和者两者，目前主要用的是硅材料，硅二极管的导通电压通常是0.6伏。
硅二极管正向电压约为多少？
硅二极管的正向电压（也叫压降）是0.6－0.7V之间，这是由制造二极管的材料所决定的，纯硅是不导电的，在制造成半导体的时候，往硅基片里掺加微量的镓材料，或者其他材料，在硅片上形成一个。PN结，PN结是一个非线性半导体，只有施加0.6－0.7V直流电压时才会导通。所以硅二极管的电压是0.6－0.7V。
硅二极管和发光二极管的导通门槛电压是多少？
硅材料二极管导通电压是0.6-0.7V之间。发光二极管有多种颜色，他们的导通电压都不相同：例如红色为1.8V左右、白色约2.5V左右等等......
二极管的正向导通压降及相应电流？
6V左右;微安级,试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。0.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z> 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。二极管的工作电流：同一个二极管，当前电流越大，压降越大。压降虽然有不同，但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围；反向饱和电流Is 大概是uA级别，根据二极管种类不同，有差异
锗二极管的正向导通电压为多少？
错二极管的正向导通电压为多少？根据制作半导体二极管的材料不同二极管可以分为硅二极管和锗二极管，这两种二极管在导通时的压降各有不同，硅二极管导通时他的PN结压降大约在0.7伏左右，锗二极管导通时他的pN结压降大约在0.3伏左右。
二极管的导通条件？
二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
二极管正向导通的条件是怎样的呢？二极管正向？
给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空*对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。硬之城二极管。
硅材料与锗材料的二极管导通后的压降各为多少？在温度升高后，二极管的正向压降，反向电流各会起什么变化？
硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加. 二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管，发光二极管，激光二极管，光电接收二极管，金属二极管（肖特基），，， 用途：检波，整流，限幅，吸收（继电器驱动电路），逆程二极管（电视行输出中）