MOS管的工作原理(以N沟道[沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体 层。]增强型MOS场效应管[场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。])它是利用VGS来控制“感应[英皇 2006 年重点新人泳儿 (Vincy)，今年23岁，先“声”夺人之作“感应”让各位听到她的清新悦耳声音，更有乐迷认为她的声线和唱腔酷似天后王菲，绝对是可造之材。]电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极[漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。]电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层[绝缘层，是指发热导线之间或发热导线与接地屏蔽层之间的绝缘材料层。]中出现大量正离子[正离子，是指失去电子的**或分子带正电,称为“正离子”。]，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷[把用毛皮摩擦过的橡胶棒带的电荷叫做负电荷。]，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。